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NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
001aaa726
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ? C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa727
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa728
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD3V3S1UL; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S1UL; V RWM = 5.0 V
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD12VS1UL; V RWM = 12 V
(2) PESD15VS1UL; V RWM = 15 V
(3) PESD24VS1UL; V RWM = 24 V
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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